دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور ترانزیستور MESFET کربید سیلیسیم با گیت تورفته در سمت سورس و درین و لایه مدفون N در کانال
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
ترانزیستور MESFET کربید سیلیسیم با گیت تورفته در سمت سورس و درین و لایه مدفون N در کانال دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد ترانزیستور MESFET کربید سیلیسیم با گیت تورفته در سمت سورس و درین و لایه مدفون N در کانال کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی ترانزیستور MESFET کربید سیلیسیم با گیت تورفته در سمت سورس و درین و لایه مدفون N در کانال،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن ترانزیستور MESFET کربید سیلیسیم با گیت تورفته در سمت سورس و درین و لایه مدفون N در کانال :
سال انتشار : ۱۳۹۶
نام کنفرانس، همایش یا نشریه : مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران – الف مهندسی برق
تعداد صفحات :۸
در این مقاله، یک ترانزیستور MESFET با گیت تورفته در دو سمت سورس و درین و لایه مدفون نوع N در کانال (SDS-DRG) ارائه می گردد. مهم ترین پارامترهای الکتریکی ساختار پیشنهادی همچون اثر کانال کوتاه، هدایت انتقالی، جریان درین و ولتاژ شکست شبیه سازی شده و با همین مقادیر در ترانزیستورهای MESFET با گیت تورفته در سمت سورس (SS-DRG) و گیت تورفته در سمت درین (DS-DRG) مقایسه می شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که کاهش ضخامت کانال زیرگیت در ساختارSDS-DRG ، باعث بهبود ماکسیمم هدایت انتقالی و کاهش اثر کانال کوتاه در مقایسه با ساختارهای SS-DRG و DS-DRG می گردد. کاهش ضخامت کانال زیرگیت در سمت درین در ساختار SDS-DRG، جهت افزایش ولتاژ شکست نسبت به ساختار SS-DRG استفاده می شود. همچنین لایه مدفون N با چگالی ناخالصی بالا درSDS-DRG ، منجر به افزایش جریان درین اشباع در مقایسه با SS-DRG و DS-DRG می شود.
کلید واژه: MESFET، گیت تورفته، هدایت انتقالی، اثر کانال کوتاه، ولتاژ شکست
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
