دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور واکاوی تکنولوژی ساخت ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی با رویکرد کاهش ابعاد در مقیاس نانو
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
واکاوی تکنولوژی ساخت ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی با رویکرد کاهش ابعاد در مقیاس نانو دارای ۱۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد واکاوی تکنولوژی ساخت ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی با رویکرد کاهش ابعاد در مقیاس نانو کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی واکاوی تکنولوژی ساخت ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی با رویکرد کاهش ابعاد در مقیاس نانو،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن واکاوی تکنولوژی ساخت ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی با رویکرد کاهش ابعاد در مقیاس نانو :
تعداد صفحات :۱۶
چکیده مقاله:
پیشرفت های اخیر صورت گرفته در حوزه طراحی مدارت VLSI نشان می دهد که ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی در طول سالیان متمادی پتانسیل زیادی جهت فرآیند کوچک سازی و کاهش ابعاد در راستای تحقق قانون گوردن مور از خود نشان داده اند . مهمترین ویژگی های عملکردی این قبیلترانزیستورها در مقایسه با همتایان، تداوم افزایش سرعت عملکرد و کاهش توان تلفاتی همگام با روند کوچک سازی ابعاد در مقیاس نانو می باشد. اما با وجود مزایایی که در فرآیند کوچک سازی این قبیل ترانزیستورها رخ می دهد محدودیت های گسترده ای نیز ناشی از این امر پدید می آید که بیشتر اینمحدودیت ها از دیدگاه کوانتومی مطرح می گردد. از اینرو با ظهور تکنولوژی های جدید از قبیل ترانزیستورهای نانو لوله کربنی و رفع بسیاری از چالش های مطرح شده توسط آنها می توان انتظار داشت که در آینده ای نزدیک باید شاهد پایان عمر ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی باشیم
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
