دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور تجزیه و تحلیل آنتن پچ میکرواستریپ بر مبنای ساختارهای فوتونیک کریستال
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
تجزیه و تحلیل آنتن پچ میکرواستریپ بر مبنای ساختارهای فوتونیک کریستال دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد تجزیه و تحلیل آنتن پچ میکرواستریپ بر مبنای ساختارهای فوتونیک کریستال کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی تجزیه و تحلیل آنتن پچ میکرواستریپ بر مبنای ساختارهای فوتونیک کریستال،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن تجزیه و تحلیل آنتن پچ میکرواستریپ بر مبنای ساختارهای فوتونیک کریستال :
تعداد صفحات :۱۲
چکیده مقاله:
در این مقاله یک آنتن پچ میکرواستریپ که در باند فرکانسی تراهرتز عمل می کند و بر روی یک زیر لایه فوتونیک کریستال دو بعدی ایجاد شده است مورد بررسی و شبیه سازی قرار می گیرد.به کمک این شبیه سازی آنتن طراحی شده مذکور می تواند در ۵ نقطه فرکانسی در محدوده تراهرتز با راندمان تشعشعی بین۷۰ تا ۸۰ درصد تشعشع کند که نشان از عملکرد بهینه و مناسب این آنتن دارد.یکی از روش های افزایش گین در آنتن های پچ میکرواستریپ استفاده از زیر لایه های ضخیم دی الکتریک بعنوان زیر لایه آنتن میباشد که این امر موجب ایجاد امواج سطحی مزاحم بر روی آنتن و تضعیف عملکرد آنتن می شود.در این مقاله با استفاده از یک ساختار فوتونیک کریستال بعنوان زیر لایه آنتن شاهد کاهش تلفات ناشی از پدیدهانتشار امواج سطحی بر روی آنتن و همچنین افزایش چشمگیر گین،سمت گرایی و راندمان تشعشعی در این نوع از آنتن میکرواستریپ می باشیم.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
