مروری بر ضرب کننده آنالوگ چهارربعی بر اساس CNTFET

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 مروری بر ضرب کننده آنالوگ چهارربعی بر اساس CNTFET دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مروری بر ضرب کننده آنالوگ چهارربعی بر اساس CNTFET  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مروری بر ضرب کننده آنالوگ چهارربعی بر اساس CNTFET،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مروری بر ضرب کننده آنالوگ چهارربعی بر اساس CNTFET :

تعداد صفحات :۱۲

چکیده مقاله:

امروزه با پیشرفت فناوری های نوین در زمینه ی صنعت الکترونیک و کاهش ابعاد افزاره ها، تعداد ترانزیستورها روی یک تراشه به سرعت در حال افزایش است. ترانزیستور اثر میدانی نانولوله ی کربنی فناوری جدید امیدوارکننده ای است که بر بسیاری از محدودیت های تکنولوژی مدار مجتمع سیلیکونی رایج غلبه کرده است. در این مقاله یک ضرب کننده ی چهار ربعی با استفاده از ترانزیستورهای نانولوله ی کربنی و بر اساس تکنولوژی ۳۲ نانومتر CNTFET با استفاده از نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده است. این ضرب کننده دارای ویژگی هایی نظیر توان مصرفی بسیار پایین معادل ۴/۲ nw محدوده ی ورودی mv±۴/۲، محدوده ی ورودی mv ±۴۰۰، اعوجاج هارمونیکی کم کمتر از ۰/۷۲ درصد، پهنای باند نسبتا بزرگ برابر با ۲ GHZ و ولتاژ تغذیه ی پایین می باشد. مدار ضرب کننده ی چهارربعی از نظر توان مصرفی، محدوده ی ورودی، عملکرد خطی، پهنای باند و تعداد ترانزیستور عملکرد بسیار بهتری نسبت به همتای CMOS خود دارد.