دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مقاله رشد نانوتیوبهای کربنی بر روی زیر لایه سیلیکان و کوارتز با روش رسوب دهی بخار شیمیایی پلاسمایی PECVD) جهت کاربرد در میکرو الکترونیک
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مقاله رشد نانوتیوبهای کربنی بر روی زیر لایه سیلیکان و کوارتز با روش رسوب دهی بخار شیمیایی پلاسمایی PECVD) جهت کاربرد در میکرو الکترونیک دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مقاله رشد نانوتیوبهای کربنی بر روی زیر لایه سیلیکان و کوارتز با روش رسوب دهی بخار شیمیایی پلاسمایی PECVD) جهت کاربرد در میکرو الکترونیک کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله رشد نانوتیوبهای کربنی بر روی زیر لایه سیلیکان و کوارتز با روش رسوب دهی بخار شیمیایی پلاسمایی PECVD) جهت کاربرد در میکرو الکترونیک،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مقاله رشد نانوتیوبهای کربنی بر روی زیر لایه سیلیکان و کوارتز با روش رسوب دهی بخار شیمیایی پلاسمایی PECVD) جهت کاربرد در میکرو الکترونیک :
تعداد صفحات:۸
چکیده:
نانو تیوبهای کربنی با استفاده از روشCCVD و PECVDرشد داده میشوند و اثر دما و مدت زمان آزمایش و نوع زیر لایه بر روی فرآیند رشد مورد بررسی قرار می گیرد. نانوتیوبها برای رشد نیاز به نانوذرات کاتالیست به عنوان مراکز هسته بندی با قطر در حد نانومتر دارند که این نانو ذرات با استفاده از عملیات گرمائی و زدایش بر روی لایه نازک کاتالیست بدست می آیند نانو تیوبها بصورت نامنظم بر روی این جزایر نانو متری رشد می کنند و قطر این جزیره ها تعیین کننده قطر نانو تیوب می باشد. در این مقاله نشان می دهیم که قطر جزایر نانومتری به ضخامت اولیه کاتالیست بستگی دارد و زمان انباشت طول آنها را کنترل می کند
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
