ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی ۱۳۰ نانومتر CMOS


در حال بارگذاری
ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی ۱۳۰ نانومتر CMOS
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
1 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی ۱۳۰ نانومتر CMOS دارای ۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی ۱۳۰ نانومتر CMOS  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی ۱۳۰ نانومتر CMOS،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی ۱۳۰ نانومتر CMOS :

تعداد صفحات :۶

چکیده مقاله:

در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده جدید با بهره ی بالا و همچنین پهنای باند وسیع پیشنهاد شده است. در این تقویت کننده یک سلول بهره ی جدید که در آن از ساختار کاسکید و کاسکود به صورت ترکیبی استفاده میشود. بکار بردن ترکیبی این دو ساختار در یک سلول ، باعث افزایش بهره و پهنای باند به طور همزمان میشود.سلول بهره ی پیشنهادی از سه طبقه ی ترانزیستوری تشکیل شده است و همچنین بالک ترانزیستورهای طبقه ی اول و دوم نیز به منظور داشتن کارایی مطلوب تر به یک ولتاژ dC وصل شده است. تقویت کننده پیشنهادی در این مقاله با استفاده از نرم افزار ADS در تکنولوژی ۱۳۰ نانومتر شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که این تقویت کننده دارای بهره ی نسبتا خوبی حدود dB 22 در طول پهنای باند GHz 20 بدست می دهد. همچنین این تقویت کننده تطبیق امپدانس ، ایزولاسیون معکوس و پایداری خوبی در پهنای باند خود بدست می دهد.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.