یک XOR جدید با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنیبرای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 یک XOR جدید با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنیبرای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد یک XOR جدید با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنیبرای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی یک XOR جدید با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنیبرای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن یک XOR جدید با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنیبرای کاربردهای ولتاژ پایین و توان پایین :

تعداد صفحات :۱۲

چکیده مقاله:

از آنجایی که اتلاف توان پویا در CMOS متناسب با ۲Vdd است، عملکرد ولتاژ پایین مدار یک مسیله مهم میباشد. در این مقاله، یک XOR جدید ولتاژ پایین پیشنهاد شده است که با استفاده از ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی ( CNTFET ) پیاده سازی شده است. XOR پیشنهادی میتواند در مدارات جمع کننده استفاده شود. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم و سویینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم ۰.۸ Vdd= V میباشد. چندین مدار XOR به طور کامل با استفاده از HSPICE با تکنولوژی ۳۲nm CMOS و ۳۲nm CNTFET در یک ولتاژ تغذیه کم شبیه سازی شده اند. مدار XOR پیشنهادی با مدارهای قبلا شناخته شده مقایسه شده و عملکرد ممتاز آن نشان داده شده است. شبیه سازی ها نشان میدهند که XOR ولتاژ پایین جدید، تلفات توان کمتر و حاصلضرب تاخیر در توان( PDP ) کوچکتری در مقایسه با سایر مدارات XOR قبلی دارد.