دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور شبیه سازی و تحلیل ترانسیستور اثر میدان حساس به یون برومید
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
شبیه سازی و تحلیل ترانسیستور اثر میدان حساس به یون برومید دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد شبیه سازی و تحلیل ترانسیستور اثر میدان حساس به یون برومید کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی شبیه سازی و تحلیل ترانسیستور اثر میدان حساس به یون برومید،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن شبیه سازی و تحلیل ترانسیستور اثر میدان حساس به یون برومید :
تعداد صفحات :۹
چکیده مقاله:
در این مقاله ترانزیستور حساس به یون برومید شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی حساسیت ترانزیستور مورد نظر به پارامترهایی مانند ضخامت و جنس اکسید گیت و طول گیت برای رسیدن به بالاترین حساسیت را ارایه می کند. براساس نتایج شبیه سازی با افزایش غلظت برومید، ولتاژ آستانه ISFET بطور خطی افزایش می یابد علاوه براین با افزایش مولار برومید، ولتاژ آستانه با افزایش ضخامت اکسید و افزایش طول کانال، افزایش می یابد. همینطور بیشترین نرخ افزایش ولتاژ آستانه ISFET با افزایش مولار برومید، به ترتیب برای جنس های اکسید گیت Si3N4، ، Al2O3 و Ta2O5 بدست آمده اند.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
