دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور طراحی گیت NAND سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستورهای نانولوله کربنی
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
طراحی گیت NAND سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستورهای نانولوله کربنی دارای ۱۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد طراحی گیت NAND سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستورهای نانولوله کربنی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی گیت NAND سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستورهای نانولوله کربنی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن طراحی گیت NAND سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستورهای نانولوله کربنی :
تعداد صفحات :۱۸
چکیده مقاله:
نانولوله های کربنی به علت مشخصات الکتریکی فوق العاده خود یکی از بهترین گزینه ها به منظور جایگزینی فناوری مبتنی بر سیلیکون به شمار می روند .ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی یکی از امیدوار کننده ترین جایگزین ها برای دست یابی به مدارات دیجیتال با سرعت بالاتر و ابعاد کوچکتر می باشد. با توجه به اهمیت گیت NAND در بهبود تکنولوژی کامپیوتر و الکترونیک در جهان امروز دارند همچنین ارایه روشی مناسب برای طراحی گیت های NAND با تعداد ورودی بالا مورد توجه می باشد.در این مقاله گیت های NAND سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستور نانو لوله کربنی بر اساس یک روش طراحی جدید با استفاده از HSPICE در تکنولوژی ۹۱ نانو متر شبیه سازی شده اند. بر اساس نتایج بدست آمده گیت های طراحی شده بر اساس ترانزیستور نانو لوله کربنی دارای تعداد ترانزیستور کمتر ، توان مصرفی و تاخیر انتشار بهبود یافته تری نسبت به گیت های NAND بر مبنای تکنولوژی معمولی CMOS هستند
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
