دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور طراحی یک سلول حافظه ایستا با قابلیت اطمینان بالا در برابر خطای نرم در تکنولوژی نانو لوله کربنی
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
طراحی یک سلول حافظه ایستا با قابلیت اطمینان بالا در برابر خطای نرم در تکنولوژی نانو لوله کربنی دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد طراحی یک سلول حافظه ایستا با قابلیت اطمینان بالا در برابر خطای نرم در تکنولوژی نانو لوله کربنی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی یک سلول حافظه ایستا با قابلیت اطمینان بالا در برابر خطای نرم در تکنولوژی نانو لوله کربنی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن طراحی یک سلول حافظه ایستا با قابلیت اطمینان بالا در برابر خطای نرم در تکنولوژی نانو لوله کربنی :
تعداد صفحات :۱۳
چکیده مقاله:
در این مقاله یک نوع سلول حافظه ایستا با دستیابی تصادفی متشکل از ۱۷ ترانزیستور و مقاوم در برابر خطای نرم ناشی از برخورد ذرات پر انرژی ارایه شده است. اساس کار سلول ارایه شده در این مقاله استفاده ازکلید های مکمل به منظور حذف بار تزریق شده ناشی از برخورد ذره پر انرژی که اساس آن استفاده از دو سیگنال تازه سازی قبل از عملیات نوشتن و خواندن جهت جلوگیری از انتشار خطای احتمالی و در نتیجه افزایش قابلیت اطمینان نهایی سلول می باشد. هدف از این مقاله معرفی سلول جدید حافظه با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله ی کربنی است که به نسبت به مدل CMOS مشابه آن، تاخیر کمتر و نیز توان مصرفی پایین تری داشته باشد. این تحقیق به کمک ابزار شبیه سازیHSPISE در تکنولوژی ۳۲ نانومتر و ۰.۱۸ میکرو متر بوده و با به کارگیری مدل کتابخانه ای ارایه شده در دانشگاه استندفورد انجام شده است
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
