شبیه سازی و تحلیل اثر آلایش ناحیه ای در کانال ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک درین و سورس بر هدایت انتقالی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 شبیه سازی و تحلیل اثر آلایش ناحیه ای در کانال ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک درین و سورس بر هدایت انتقالی دارای ۱۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد شبیه سازی و تحلیل اثر آلایش ناحیه ای در کانال ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک درین و سورس بر هدایت انتقالی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی شبیه سازی و تحلیل اثر آلایش ناحیه ای در کانال ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک درین و سورس بر هدایت انتقالی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن شبیه سازی و تحلیل اثر آلایش ناحیه ای در کانال ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک درین و سورس بر هدایت انتقالی :

تعداد صفحات :۱۰

چکیده مقاله:

در این مقاله به بررسی کاشت تک هاله نوع n در کانال ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک درین و سورس (LDDS-CNTFET) می پردازیم تا با مهندسی آلایش و ایجاد یک چاه کوانتومی در کانال به ایجاد مقاومت تفاضلی منفی در ساختار IDS-VG دست یافته و وضعیت هدایت انتقالی را در این نوع ترانزیستور اثر میدانی بررسی کنیم. این ترانزیستورها با روش تابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی شده اند