دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور بهبود ولتاژ شکست در ترانزیستورهای مسفت سیلیکن روی عایق با استفاده از جعبه با ناخالصی نوع p
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
بهبود ولتاژ شکست در ترانزیستورهای مسفت سیلیکن روی عایق با استفاده از جعبه با ناخالصی نوع p دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد بهبود ولتاژ شکست در ترانزیستورهای مسفت سیلیکن روی عایق با استفاده از جعبه با ناخالصی نوع p کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بهبود ولتاژ شکست در ترانزیستورهای مسفت سیلیکن روی عایق با استفاده از جعبه با ناخالصی نوع p،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن بهبود ولتاژ شکست در ترانزیستورهای مسفت سیلیکن روی عایق با استفاده از جعبه با ناخالصی نوع p :
تعداد صفحات :۱۳
چکیده مقاله:
در این مقاله، با ارایه یک ساختار کارا برای ترانزیستور مسفت سیلیکن روی عایق (Silicon on insulator metal semiconductor field effect transistor) ولتاژ شکست آن به روش کنترل پتانسیل، بهبود یافته است. در این ساختار یک جعبه با ناخالصی نوع p در داخل کانال ترانزیستور، زیر لبه گیت در سمت درین قرار گرفته که توانسته است توزیع خطوط پتانسیل در این ناحیه را اصلاح کرده و نیز قله میدان الکتریکی را کاهش دهد و به این ترتیب ولتاژ شکست این ساختار نسبت به ساختار پایه (conventional) افزایش پیدا کرده است. ساختار پیشنهادی p-box SOI MESFET نام نهاده شده است. لازم به ذکر است که شبیه سازی ها با استفاده از نرم افزار سیلواکو انجام گرفته است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
