مقاله طراحی و ساخت یک دیود Pn با نیمه هادی GaAs به روش MBE


در حال بارگذاری
مقاله طراحی و ساخت یک دیود Pn با نیمه هادی GaAs به روش MBE
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
2 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله طراحی و ساخت یک دیود Pn با نیمه هادی GaAs به روش MBE دارای ۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله طراحی و ساخت یک دیود Pn با نیمه هادی GaAs به روش MBE  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله طراحی و ساخت یک دیود Pn با نیمه هادی GaAs به روش MBE،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله طراحی و ساخت یک دیود Pn با نیمه هادی GaAs به روش MBE :

تعداد صفحات:۷

چکیده:

دراین مقاله طراحی و مراحل رشد یک دیود Pn از جنس GaAs را تشریح کردها یم این دیود از طریق رشد یکلایه با ضخامت ۱ میکرومتر از جنس GaAs نوع n با ناخالصی سیلیکون ۶×۱۹ ۱۷cm-3برروی زیرلایه ای از جنسGaAs نوع P با چگالی حاملها ۱۷ ۱۰CM-3 رشد داده شده است لایه نشانی به روش MBE انجام شد و فشار مبنای محفظه رشد کمتر از ۱۰ -۱۰Torr و فشارکاری که غالب آن از ارسنیک است بین ۱۱۰-۷-۱۰-۵ بوده و مشخصه نگاری درهنگام رشد توسط سیستم RHEED و پس از رشد توسط روشهای I-V,C-V صورت گرفته است.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.