اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی (یادداشت پژوهشی)

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی (یادداشت پژوهشی) دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی (یادداشت پژوهشی)  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی (یادداشت پژوهشی)،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی (یادداشت پژوهشی) :

نام کنفرانس، همایش یا نشریه : پژوهش فیزیک ایران

تعداد صفحات :۸

در این مقاله مبتنی بر روش تابع گرین در رهیافت تنگابست، ترابرد الکترونی یک نانو نوار گرافنی شامل یک نقص پیوندی و همچنین یک نانو سیم پلی استیلنی شامل یک پیوند اضافی، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می دهد که رسانش الکترونی نسبت به تغییر مکان نقص پیوندی در موارد تشدیدی و غیر تشدیدی، رفتاری متفاوتی از خود نشان می دهد. تنها در مواردی که پیوندهای دوگانه داریم، با تغییر مکان پیوند مقدار رسانش در انرژی صفر، تغییر می کند. به خصوص در نانو سیم پلی استیلنی این تغییرات بیشتر مشاهده می شود. میزان جابه جایی مکان ضد تشدیدها در طیف رسانش، نسبت به تغییر محل نقص پیوندی نیز قویا به نوع و شکل ساختار سامانه مرکزی وابسته است.

کلید واژه: نانو نوار گرافن، پلی استیلن، حرکت پیوند، نقص، تنگابست، رسانش الکترونی