بررسی اثر استفاده از رادیکالهای گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بررسی اثر استفاده از رادیکالهای گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین دارای ۱۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بررسی اثر استفاده از رادیکالهای گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی اثر استفاده از رادیکالهای گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بررسی اثر استفاده از رادیکالهای گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین :

نام کنفرانس، همایش یا نشریه : مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال)

تعداد صفحات :۱۴

بررسی روش ساخت و کیفیت لایه های نازک نیترید سیلیکون آمورف رسوب داده شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین از مخلوط رادیکالهای آزاد تشکیل شده از سیستم گازی نیتروژن، آمونیاک و تری کلروسیلان هدف این مقاله است. تبدیل گازهای اولیه به رادیکالهای آزاد گازی با عبور دادن آنها از روی کاتالیزور سرامیکی پلاتین ایریدیوم آلومینا در دمای ۶۰۰ درجه سانتیگراد انجام شد. تغییرات سینتیک رشد لایه نسبت به تغییرات فشار کل سیستم، نسبت نرخ شارش آمونیاک به تری کلروسیلان و دما بررسی شد. توپوگرافی و ترکیب شیمیایی لایه نازک توسط بیضی سنجی، طیف نگاری فوتوالکترون اشعه ایکس، طیف نگاری فوتوالکترون اشعه ایکس، طیف نگاری تبدیل فوریه مادون قرمز، میکروسکوپ نیروی اتمی و عمق نگاری با الکترون اوژه مورد بررسی قرار گرفت. بررسی نتایج نشان داد که در محدوده دمایی ۷۳۰ تا ۸۳۰ درجه سانتیگراد سینتیک رشد لایه نازک تابعی آرنیوسی با انرژی فعالسازی ۱۶۶.۳ کیلوژول بر مول است. آلودگی هیدروژن در لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف ۱.۰۵ درصد اتمی اندازه گیری شد. این مقدار ۱۷ برابر کم تر از آلودگی هیدروژن در لایه های حاصل از روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار به کمک پلاسما و ۳.۴ برابر کم تر از مقدار آلودگی اندازه گیری شده در لایه های حاصل از لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین با استفاده از سیستم گازی سیلان و آمونیاک یا سیستم گازی دی کلروسیلان و آمونیاک است. تصاویر میکروسکوپ نیروی اتمی نشان داد که توپوگرافی سطحی لایه حاصل هموار و همگن است.

کلید واژه: رادیکال آزاد گازی، کاتالیزور پلاتین ایریدیوم آلومینا، نیترید سیلیکون آمورف، تری کلروسیلان، لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین