طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خودگرمایی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خودگرمایی دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خودگرمایی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خودگرمایی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خودگرمایی :

نام کنفرانس، همایش یا نشریه : مدل سازی در مهندسی

تعداد صفحات :۸

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهای SOI-MOSFET به عنوان راه کاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین، استفاده از ماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمایی بیشتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لایه ای می تواند نقش به سزایی در انتقال گرما به لایه های زیرین لایه مدفون داشته و از افزایش گرما در کانال جلوگیری نماید.

کلید واژه: ترانزیستور اثر میدان، سیلیسیم روی عایق، خود گرمایی