بررسی اثر کاشت هیدروژن در نمونه بلوری کاربید سیلیسیم (SiC) قبل و بعد از اکسیداسیون گرمایی در محیط اکسیژن

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بررسی اثر کاشت هیدروژن در نمونه بلوری کاربید سیلیسیم (SiC) قبل و بعد از اکسیداسیون گرمایی در محیط اکسیژن دارای ۱۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بررسی اثر کاشت هیدروژن در نمونه بلوری کاربید سیلیسیم (SiC) قبل و بعد از اکسیداسیون گرمایی در محیط اکسیژن  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی اثر کاشت هیدروژن در نمونه بلوری کاربید سیلیسیم (SiC) قبل و بعد از اکسیداسیون گرمایی در محیط اکسیژن،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بررسی اثر کاشت هیدروژن در نمونه بلوری کاربید سیلیسیم (SiC) قبل و بعد از اکسیداسیون گرمایی در محیط اکسیژن :

نام کنفرانس، همایش یا نشریه : علوم پایه (دانشگاه آزاد اسلامی)

تعداد صفحات :۱۶

مقدمه: امروزه SiC در صنعت نیمه هادی ها کاربرد و اهمیت فراوانی پیدا کرده است،به ویژه این ماده در نمودار تک بلوری آن می تواند در ساخت قطعات الکترونیکی دمای بالا، توان بالا و فرکانس بالا مورد استفاده قرار گیرد. همچنین این نیمه هادی کاربردهای گوناگونی در دیودهای لیزری، فوتودیودها و سنسورهای مختلف دارد. کاربید سیلیسیم(Silicon Carbide) یک نیمه هادی غیر مستقیم با گاف نواری پهن می باشد. این نیمه هادی از لحاظ فیزیکی بسیار سخت است و خواص الکتریکی و اپتیکی آن متناسب با نوع ساختاری که دارد با یکدیگر کاملا متفاوت است. در تمام ساختارهای بلوریSiC ، ۵۰درصد اتم کربن با ۵۰ درصد اتم C با استفاده از پیوند کووالانسی با یکدیگر پیوند دارند. اما با توجه به اینکه نحوه آرایش اتم های Si و C در داخل شبکه SiC به چه نموداری باشد، ساختارهای متفاوتی (Politypes) ازSiC ایجاد می شود که هر یک از آنها دارای خواص فیزیکی منحصر به خود است. اما چند ساختار مهم SiC که در صنعت نیمه هادی کاربرد فراوان دارد عبارتند: از ۴H- SiC، ۶H- SiC و .۳C- SiC ولی غالبا دو ساختار ۴H- SiC و ۶H- SiC از لحاظ تجاری به عنوان زیر لایه در صنعت نیمه هادی ها مورد استفاده قرار می گیرد.هدف: در این مقاله اثر کاشت یون هیدروژن با دز atom/cm2 1´۱۰۱۶ و انرژی ۱۵KeV در ساختار سطحی بلور ۶H-SiC قبل و بعد از اکسیداسیون گرمایی در محیط اکسیژن، مورد بررسی قرار گرفته است.روش بررسی: سطح بلور SiC در دو ناحیه کاشت شده و بدون کاشت با کمک میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) بررسی و مقایسه شده است. همچنین کیفیت ساختار بلوری و اثر کاشت هیدروژن در ساختار بلور با استفاده از آنالیز پس پداکندگی رادرفورد (RBS-Channeling) و نحوه توزیع هیدروژن در عمق نمونه با تکنیک ERD مطالعه شده است. علاوه بر این پیوند بین اتم های کاربید سیلیسیم (SiC) در دو ناحیه با استفاده از تکنیک تبدیل فوریه نور مادون قرمز (FTIR) بررسی شده است.نتایج: نتایج حاصل از آنالیز AFM افزایش نایکنواختی سطح در ناحیه کاشت شده را نسبت به ناحیه بدون کاشت نشان می دهند، اما نشانه ای از تاثیر کاشت بر روی نانوخراش های ایجاد شده بعد از فرآیند زدایش دیده نمی شود. همچنین، ایجاد آسیب شبکه ای اندکی بر اثر برخورد هیدروژن با اتم های سیلیسیم و کربن در نتایج آنالیز کانال زنی دیده می شود. علاوه بر این، نتایجFTIR بدست آمده از ناحیه کاشت شده با هیدروژن اختلاف قابل توجهی را نسبت به ناحیه کاشت نشده با هیدروژن بعد از اکسید در محیط اکسیژن نشان می دهد. نتیجه گیری: با استفاده ازERD توزیع اتم های هیدروژن در SiC با دقت خوبی تعیین شد و مقایسه آن با نتایج شبیه سازی نشان داد که ماکزیمم توزیع اتم های هیدروژن در عمق حدود ۲۰۰ نانومتر هست. این مقایسه همخوانی خوب بین نتایج تجربی و شبیه سازی را نشان می دهد. نتایج آنالیز RBS-Channeling اختلاف بین لایه اکسید رشد داده شده در ناحیه کاشت شده و بدون کاشت را نشان داد. علاوه بر این نتایج حاصل ازFTIR نشان داد اگر چه تفاوت چشمگیری بین طیف های بدست آمده از دو ناحیه کاشت شده و کاشت نشده قبل از اکسیداسیون وجود ندارد، اما شدت پیک عبوری مربوط به پیوند Si باO دو ناحیه کاشت شده و کاشت نشده بعد از اکسیداسیون در این ناحیه تفاوت چشمگیری با هم دارند و پیک مربوط به کربن و هیدروژن در ناحیه کاشت شده به وضوح آشکار می شود.

کلید واژه: کاشت یونی، SiC، اکسیداسیون گرمایی، آسیب بلوری