ساخت و بررسی نمونه های حجمی و لایه نازک فریت استرانسیوم

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 ساخت و بررسی نمونه های حجمی و لایه نازک فریت استرانسیوم دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد ساخت و بررسی نمونه های حجمی و لایه نازک فریت استرانسیوم  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی ساخت و بررسی نمونه های حجمی و لایه نازک فریت استرانسیوم،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن ساخت و بررسی نمونه های حجمی و لایه نازک فریت استرانسیوم :

نام کنفرانس، همایش یا نشریه : پژوهش فیزیک ایران

تعداد صفحات :۱۳

در این مقاله نمونه های حجمی و لایه های نازک فریت استرانسیوم مورد مطالعه قرار گرفته اند. بزرگ بودن مقاومت ویژه در فریت استرانسیوم، تلفات ناشی از جریانهای گردابی را کاهش داده و به همین جهت، می توان از آن در مدارهای مغناطیسی مخصوص فرکانسهای بزرگ، استفاده کرد. از طرف دیگر خاصیت مغناطیسی دایم فریت استرانسیوم نیز بسیار مورد توجه است. در ابتدا به فرایند تهیه نمونه های حجمی فریت استرانسیوم به روش حالت جامد می پردازیم. برای به دست آوردن خواص مغناطیسی بهتر، در ساخت نمونه ها از عامل استوکیومتری (n) یعنی نسبت Fe2O3/SrO به مقدار ۵.۲۵ استفاده شد. برای کنترل رشد دانه ها در ساختار نمونه ها از افزودنیهای CaO و SiO2 استفاده کردیم نمونه ها به دو صورت همسانگرد و ناهمسانگرد تهیه شدند. برای تهیه نمونه های ناهمسانگرد از میدان مغناطیسی حدود ۱ T برای جهت دهی دانه ها در حین پرس نمونه ها، استفاده شده است. سپس به منظور بررسی و مقایسه خواص ساختاری و مغناطیسی نمونه های همسانگرد و ناهمسانگرد از پراش پرتو x، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و تحلیل EDAX و مغناطیس سنج استفاده شد. نتایج نشان می دهند که در اثر اعمال میدان، خواص ساختاری و مغناطیسی نمونه های ناهمسانگرد به طور قابل ملاحظه، بهبود می یابد که دلیل آن چرخش ذرات در اثر اعمال میدان، هنگام پرس کردن نمونه است. در مرحله بعد با استفاده از نمونه های حجمی، لایه های نازک فریت استرانسیوم را به روش تپش لیزری (PLD) تهیه کردیم. در تهیه لایه نازک از زیرلایه Si (111) استفاده شد. سپس بررسی ساختار لایه هارا توسط پراش پرتو x، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و تحلیل EDAX انجام دادیم. این بررسیها روی نمونه های مختلف نشان داد که برای تشکیل فاز بلوری فریت استرانسیوم باید دمای زیر لایه بالاتر از ۸۰۰°C انتخاب شود. شرایط بهینه برای ساخت لایه های نازک فریت استرانسیوم، در دمای زیر لایه ۸۴۰°C و فشار اکسیژن ۷۵mtorr به دست آمد.

کلید واژه: فریت استرانسیوم، استوکیومتری، خواص ساختاری و مغناطیسی، لایه نشانی به روش تپش لیزری