اثر ایجاد موتاسیون V364D در انتهای کربوکسیل کانال پتاسیمی( ROMK2 (K


در حال بارگذاری
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
1 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 اثر ایجاد موتاسیون V364D در انتهای کربوکسیل کانال پتاسیمی( ROMK2 (K دارای ۱۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد اثر ایجاد موتاسیون V364D در انتهای کربوکسیل کانال پتاسیمی( ROMK2 (K  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی اثر ایجاد موتاسیون V364D در انتهای کربوکسیل کانال پتاسیمی( ROMK2 (K،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن اثر ایجاد موتاسیون V364D در انتهای کربوکسیل کانال پتاسیمی( ROMK2 (K :

نام کنفرانس، همایش یا نشریه : مجله دانشگاه علوم پزشکی اراک (ره‌ آورد دانش)

تعداد صفحات :۱۴

مقدمه: مطالعات انجام شده نشان داده که آندوسیتوز کانال های پتاسیمی ROMK برای تنظیم ترشح +K در قسمت های انتهای نفرون و مجاری جمع کننده مهم می باشد. در این مطالعه اثرات موتاسیون V364D بر پایداری کانال پتاسیمی ROMK2 هنگامی که در غشا اووسیت بیان می شود بررسی گردیده است.مقدمه: در این پژوهش تجربی اووسیت های Xenopus laevis به روش استاندارد با استفاده از کلاژناز جدا گردیدند.‍ با استفاده از روش quick-change در انتهای کربوکسیل کانال پتاسیمی ROMK2 موتاسیون زای مستقیم ایجاد گردید. cRNA که ROMK2 و موتاسیون V364Dرا کد می کرد، سه روز قبل از قرار دادن در محلول BFA (زمان صفر) به اووسیت ها تزریق می شد. به محیط کشت برفلدین (+BFA) به مقدار ۵-۲۵ میکرومولار (مهارکننده انتقال پروتئین های ساخته شده به غشا) یا اتانول به عنوان حلال BFA) BFA -) اضافه گردید. با استفاده از تکنیک ثابت نگه داشتن ولتاژ با استفاده از دو الکترود جریان یونی و پتانسیل استراحت غشا اووسیت ها پس از بیان کانال های پتاسیمی ROMK2 و موتاسیون V364D اندازه گیری گردید. جهت تجزیه و تحلیل اطلاعات از آنالیز واریانس یک طرفه و تست تی آموزشی استفاده شد.نتایج: یافته های حاصل نشان داد اثر BFA بر روی میزان جریان به صورت وابسته دوز است. برخلاف کانال های پتاسیمی ROMK2 اووسیت هایی که موتاسیون V354D را بیان می کردند در هیچ کدام از زمان های ثبت مورد نظر در طی دوره انکوبه شدن در BFA در هر دو غلظت ۵ و ۲۵ میکرومولار کاهشی در میزان جریان یونی این کانال پتاسیمی دیده نشد. برای ROMK2 پس از این که اووسیت ها ۴۸ ساعت تحت تاثیر BFA بودند میزان کسر جریان برابر با ۰۵/۰±۲۴/۰ (۱۶=n) بود در حالی که برای موتاسیون V364D برابر با ۰۹/۰±۱۷/۱ بود.نتیجه گیری: نتایج، افزایش پایداری و توقف آندوسیتوز کانال های پتاسیمی ROMK2 غشا با ایجاد موتاسیون V364D را نشان می داد. بنابراین باید بین انتهای کربوکسیل کانال های پتاسیمی ROMK2 و اجزای مسیر آندوسیتوز تداخل عمل وجود داشته باشد و قسمت داخلی ناحیه PDZ (S-E-V) در آندوسیتوز و پایداری کانال های پتاسیمی ROMK2 در غشا دخالت دارد.

کلید واژه: ROMK2، موتاسیون V364D، BFA، ناحیه PDZ

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.