دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور رسانندگی گرمایی در GaN، تاثیر ناخالصی ها و دررفتگی ها
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
رسانندگی گرمایی در GaN، تاثیر ناخالصی ها و دررفتگی ها دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد رسانندگی گرمایی در GaN، تاثیر ناخالصی ها و دررفتگی ها کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی رسانندگی گرمایی در GaN، تاثیر ناخالصی ها و دررفتگی ها،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن رسانندگی گرمایی در GaN، تاثیر ناخالصی ها و دررفتگی ها :
نام کنفرانس، همایش یا نشریه : مجله پژوهشی علوم پایه دانشگاه اصفهان
تعداد صفحات :۸
در این مقاله به تحلیل دقیق رسانندگی گرمایی k نیمرسانایGan با ساختار وورتسایت در گستره پهن دمایی ۵ تا ۳۰۰ کلوین می پردازیم. تحلیل ما نشان می دهد که بر مبنای مدل گرمای ویژه دبای این ماده از دمای مشخصه ۶۱۶ کلوین برخوردار است. این کمیت بر احتمال وقوع فرآیندهای پراکندگی واگرد (µ) فونون-فونون که ساز و کار غالب در دماهای بالاتر از ۱۵۰ کلوین در این ماده است تاثیر دارد. در دماهای پایینتر به ترتیب پراکندگیهای ناشی از ناخالصی ها و دررفتگی های بلوری فرآیندهای غالب پراکندگی فونونها هستند. اگرچه قله رسانندگی (kmax) در یک نمونه گزارش شده توسط جزوسکی و همکاران که از بالاترین مقدار (در حدود W.cm-1. k-1 17) در نمونه های گزارش شده تا کنون برخوردار است پیش بینی می شود با یک مرتبه بزرگی کاهش در تراکم دررفتگی ها و ناخالصی ها باهم، این مقدار ۱۰ برابر افزایش یابد.
کلید واژه: رسانندگی گرمایی، نیمرسانا، گالیوم نیتراید، پراکندگی فونونی، ناخالصی ها، دررفتگی ها
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
