لایه نشانی اکسید قلع به روش LPCVD

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 لایه نشانی اکسید قلع به روش LPCVD دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد لایه نشانی اکسید قلع به روش LPCVD  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی لایه نشانی اکسید قلع به روش LPCVD،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن لایه نشانی اکسید قلع به روش LPCVD :

نام کنفرانس، همایش یا نشریه : نشریه بین المللی مهندسی صنایع و مدیریت تولید (فارسی)(نشریه بین المللی علوم مهندسی)

تعداد صفحات :۸

در این مقاله یک سامانه ساده و کارا برای لایه نشانی اکسید قلع به روش LPCVD ارایه شده است. سامانه دارای ویژگیهای نوینی است که نشانش لایه های اکسید قلع را در یک محفظه بسته ممکن ساخته است. در طول فرایند لایه نشانی، سامانه ورودی ندارد و کنترل پارامترهای فرآیند لایه نشانی به آسانی میسر است. لایه اکسید قلع از ترکیب بخارهای کلرید قلع و آب روی زیر لایه شیشه ای در دمای ۲۵۰°C تشکیل می شود. منبع پیش ماده داخل محفظه واکنش تعبیه شده است و تبخیر کنترل شده اجزا واکنش در داخل محفظه لایه نشانی انجام می شود. تنظیم فشار محفظه در محدوده Torr 50-10 توسط مجموعه ای متشکل از یک پمپ روتاری و سه شیر خلا، برای هر نرخ تبخیر ممکن گردیده است. کلیه پارامترهای مهم فرآیند شامل نرخ تبخیر، دمای زیر لایه، فشار محفظه، مدت لایه نشانی و نسبت اجزای پیش ماده قابل اندازه گیری و کنترل می باشند. میکروگرافهای SEM لایه های بدست آمده در محدوده ضخامت nm 400 – ۵۰ مطالعه شده است. بدون اعمال آلایش، حداکثر ضریب هدایت سطحی لایه های اکسید قلع حاصل، .moh 3- 10 است. در هدایت سطحی بیش از .moh 4 10، هدایت سطحی نمونه های نشانده شده با خطای ۱۰%± تغییر قابل تکرار بود.

کلید واژه: اکسید قلع، لایه نازک، رسانای شفاف، LPCVD