مقاله ایجاد ریزساختار هدفمند در آلیاژ هیپویوتکتیک Al-11 wt.% Mg2Si با استفاده از روش ریخته گری گریز از مرکز

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله ایجاد ریزساختار هدفمند در آلیاژ هیپویوتکتیک Al-11 wt.% Mg2Si با استفاده از روش ریخته گری گریز از مرکز دارای ۱۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله ایجاد ریزساختار هدفمند در آلیاژ هیپویوتکتیک Al-11 wt.% Mg2Si با استفاده از روش ریخته گری گریز از مرکز  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ایجاد ریزساختار هدفمند در آلیاژ هیپویوتکتیک Al-11 wt.% Mg2Si با استفاده از روش ریخته گری گریز از مرکز،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله ایجاد ریزساختار هدفمند در آلیاژ هیپویوتکتیک Al-11 wt.% Mg2Si با استفاده از روش ریخته گری گریز از مرکز :

مقاله ایجاد ریزساختار هدفمند در آلیاژ هیپویوتکتیک Al-11 wt.% Mg_۲Si با استفاده از روش ریخته گری گریز از مرکز که چکیده‌ی آن در زیر آورده شده است، در پاییز ۱۳۸۹ در مواد نوین از صفحه ۱۱ تا ۱۸ منتشر شده است.
نام: ایجاد ریزساختار هدفمند در آلیاژ هیپویوتکتیک Al-11 wt.% Mg_۲Si با استفاده از روش ریخته گری گریز از مرکز
این مقاله دارای ۸ صفحه می‌باشد، که برای تهیه‌ی آن می‌توانید بر روی گزینه‌ی خرید مقاله کلیک کنید.
کلمات مرتبط / کلیدی:
مقاله مواد هدفمند
مقاله آلیاژ هیپویوتکتیک Al-11 wt.% Mg_۲Si
مقاله ریخته گری گریز از مرکز
مقاله ریزساختار درجه بندی شده

چکیده و خلاصه‌ای از مقاله:
یکی از روش های ایجاد ناهمگنی هدفمند در ریزساختار مواد، روش ریخته گری گریز از مرکز است که در آن نیروی گریز از مرکز منجر به توزیع درجه بندی شده ای از فازهای ریزساختاری در حین ریخته گری و انجماد می شود. بر این اساس، در این پژوهش با آماده سازی مذاب هیپویوتکتیک با ترکیب Al-11 wt.% Mg_۲Si و ریخته گری گریز از مرکز آن، استوانه هایی با شیب ترکیبی و فازی، در راستای شعاعی ریخته گری شدند. با بررسی ریزساختار استوانه های ریختگی در جهت شعاعی، دو لایه متمایز ریزساختاری به ترتیب با کسر حجمی بالای دانه های a-Alدر سطوح خارجی و درصد بالای ریزساختار یوتکتیکی Al/Mg_۲Siدر سطوح داخلی قابل تشخیص بودند. در مرحله بعد، نمونه های ریخته شده در دمای ۵۳۰^oC به مدت ۱۰ ساعت محلول سازی شده و پس از تبرید در آب، به مدت ۸ ساعت در ۱۷۵^oC پیرسازی شدند. بررسی ریزساختار نمونه ها نشان می دهد که عملیات حرارتی باعث تبدیل ذرات Mg_۲Si لایه ای موجود در ساختار یوتکتیکی سطوح داخلی به ساختار ریز شبه یوتکتیکی نقطه ای می شود. ساز و کار تشکیل چنین ساختار مرکب یوتکتیکی موضوعی است که در مقاله به آن پرداخته می شود.