مقاله تحلیل و طراحی LC-VCO خطی با پهنای باند وسیع و نویز فاز کم

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

  مقاله تحلیل و طراحی LC-VCO خطی با پهنای باند وسیع و نویز فاز کم دارای ۱۱ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله تحلیل و طراحی LC-VCO خطی با پهنای باند وسیع و نویز فاز کم  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله تحلیل و طراحی LC-VCO خطی با پهنای باند وسیع و نویز فاز کم،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله تحلیل و طراحی LC-VCO خطی با پهنای باند وسیع و نویز فاز کم :

مقاله تحلیل و طراحی LC-VCO خطی با پهنای باند وسیع و نویز فاز کم که چکیده‌ی آن در زیر آورده شده است، در بهار ۱۳۸۸ در تحقیق در عملیات در کاربردهای آن (ریاضیات کاربردی) از صفحه ۷۹ تا ۸۷ منتشر شده است.
نام: تحلیل و طراحی LC-VCO خطی با پهنای باند وسیع و نویز فاز کم
این مقاله دارای ۹ صفحه می‌باشد، که برای تهیه‌ی آن می‌توانید بر روی گزینه‌ی خرید مقاله کلیک کنید.
کلمات مرتبط / کلیدی:
مقاله ورکتور AMOS
مقاله فناوری SiGe BiSMOS
مقاله اسیلاتور کنترل شونده با ولتاژ (VCO)

چکیده و خلاصه‌ای از مقاله:
امروزه اسیلاتورهای مجتمع کنترل شونده با ولتاژ (VCO) یکی از مهمترین اجزا در کاربرد چیپ در سیستم های مخابراتی می باشد. در این مقاله یک اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ از نوع LC، خطی با پهنای باند وسیع، نویز فاز پایین و جریان مصرفی کم، برای کاربرد در مخابرات بی سیم،طراحی و شبیه سازی شده است. این ساختار مداری که با استفاده از فناوری AMOS 0.35mm SiGe BiCMOS شبیه سازی شده است، شامل ورکتورهای MOS در فرایند CMOS می باشد. برای افزایش کارکرد خطی و پهنای باند گسترده از ۳ طبقه موازی MOS ورکتور استفاده شده است. مقدار نویز فاز در فرکانس افست۱MHz ، -۱۱۷.۳۸۱ dBc/Hzمی باشد و همین طور در فرکانس افست ۳MHz برابر با -۱۲۷۲ dBc/Hz و نسبت تغییرات Kvco، ۱۲۴ GHz/V است. این ساختار پهنای باند فرکانسی در حدود ۱GHz داشته و از فرکانس ۴۲۹ GHz تا ۵۲۹ GHz را پوشش می دهد. جریان مصرفی ۳۱۳ mA با ولتاژ ۳۲ V، و مقدار FOM برابر با -۱۸۷۵، عملکرد این مدار را نسبت به مقالات دیگر متمایز می کند.