دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مدلسازی ولتاژ آستانه ترانزیستور ماسفت دو گیتی با گیت دو مادهای متقارن در حضورحاملهای بار متحرک
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مدلسازی ولتاژ آستانه ترانزیستور ماسفت دو گیتی با گیت دو مادهای متقارن در حضورحاملهای بار متحرک دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مدلسازی ولتاژ آستانه ترانزیستور ماسفت دو گیتی با گیت دو مادهای متقارن در حضورحاملهای بار متحرک کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مدلسازی ولتاژ آستانه ترانزیستور ماسفت دو گیتی با گیت دو مادهای متقارن در حضورحاملهای بار متحرک،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مدلسازی ولتاژ آستانه ترانزیستور ماسفت دو گیتی با گیت دو مادهای متقارن در حضورحاملهای بار متحرک :
تعداد صفحات :۱۳
چکیده مقاله:
در این مقاله یک مدل تحلیلی دوبعدی برای پتانسیل الکتریکی کانال ترانزیستور ماسفت دوگیتی دومادهای متقارن در حضور حاملهای بار آزاد کانال ارایه میشود. پتانسیل به صورت مجموع دو مولفه کانال بلند یک بعدی در راستای عمودبر کانال و مولفه کانال کوتاه دوبعدی ناشی از اثر میدان عرضی بیان میشود. با استفاده از مدل پتانسیل ارایه شده و مفهوم کاتد مجازی و مسیر هدایت موثر، روابط تحلیلی برای ولتاژ آستانه و کاهش سد پتانسیل با القای درین ارایه میشود. مدل پیشنهادی در همه شرایط کاری ترانزیستور )زیر و بالای آستانه( صادق است
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
