دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور شبیه سازی و اثر پذیری بازده کوانتومی و پهنای باند از دما و اثرات خازنی در فتودیود های PIN
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
شبیه سازی و اثر پذیری بازده کوانتومی و پهنای باند از دما و اثرات خازنی در فتودیود های PIN دارای ۱۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد شبیه سازی و اثر پذیری بازده کوانتومی و پهنای باند از دما و اثرات خازنی در فتودیود های PIN کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی شبیه سازی و اثر پذیری بازده کوانتومی و پهنای باند از دما و اثرات خازنی در فتودیود های PIN،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن شبیه سازی و اثر پذیری بازده کوانتومی و پهنای باند از دما و اثرات خازنی در فتودیود های PIN :
تعداد صفحات :۱۷
چکیده مقاله:
در این مقاله بازده کوانتومی و پهنای باند فتودیودهای PIN ، در شرایط تابش نور غیر یکنواخت با استفاده از مدلی کاملتربررسی شده است. ناحیه جذب به تعداد لایه های دلخواه تقسیم و معادلات پیوستگی برای هر لایه بافرض اینکه در، هر لایه،سرعت رانش حامل ثابت باشد حل شده است. اثر زمان گذر و اثرات خازنی پهنای باند با توجه به ولتاز بایاس، عرض ناحیه جذب و دما بررسی شده است. وابستگی بازده کوانتومی نسبت به طول موج تجزیه تحلیل شده است
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
