دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور اپ امپ با بهره بسیار بالا مبتنی بر ساختارهای خودکسکود CMOS
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
اپ امپ با بهره بسیار بالا مبتنی بر ساختارهای خودکسکود CMOS دارای ۲۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد اپ امپ با بهره بسیار بالا مبتنی بر ساختارهای خودکسکود CMOS کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی اپ امپ با بهره بسیار بالا مبتنی بر ساختارهای خودکسکود CMOS،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن اپ امپ با بهره بسیار بالا مبتنی بر ساختارهای خودکسکود CMOS :
تعداد صفحات :۲۰
چکیده مقاله:
تقویتکننده عملیاتی CMOS دو طبقه با بهره بسیار بالا ) ۱۳۷ dB ( و ساختار سادهای بر طبق معماری کلاسیک ویدلر ارایه شده است. طبقه ورودی تفاضلی تقویتکننده عملیاتی مطرح شده، با ترکیب نسبت معکوس ابعاد ساختارهای خودکسکودی که برای بهرهبرداری در ناحیه زیرآستانه بایاس شدهاند، تکمیل میگردد تا حداقلسازی خازن جبرانکننده کلاسیک به ۰.۱ pF صورت پذیرد و به ذخیرهسازی قابل توجهی در سطح اشغال شده تراشه منجر گردد. به منظورمقایسه عملکرد تقویتکننده عملیاتی پیشنهادی با طرحهای قبلا گزارش شده، شبیهسازیهای ADS از تکنولوژی ۰.۱۸m CMOS با ولتاژ منبع ±۱ V اجرا شدهاند. تقویتکننده عملیاتی پیشنهادی، حاصلضرب بهره پهنای باند بهتر – ۱.۳۷ MHz ، مصرف توان کمتر ۲۱ W و سطح تراشه اشغال شده کوچکتر ۲<400 (m) را نشان میدهد
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
