بررسی تاثیر، (وجود پیوندگاه و طول فلزات گیت) بر روی عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام گیت استوانه ای چهار فلزی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بررسی تاثیر، (وجود پیوندگاه و طول فلزات گیت) بر روی عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام گیت استوانه ای چهار فلزی دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بررسی تاثیر، (وجود پیوندگاه و طول فلزات گیت) بر روی عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام گیت استوانه ای چهار فلزی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی تاثیر، (وجود پیوندگاه و طول فلزات گیت) بر روی عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام گیت استوانه ای چهار فلزی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بررسی تاثیر، (وجود پیوندگاه و طول فلزات گیت) بر روی عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام گیت استوانه ای چهار فلزی :

تعداد صفحات :۹

چکیده مقاله:

در این تحقیق عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام اطراف گیت استوانه ای بدون پیوند(nnn) و با پیوند (npn) بررسی، شبیه سازی و مقایسه شده است. این مقایسه در دو حالت با طول فلزات گیت مساوی ۷.۵ نانومتر و طول فلزات گیت مختلف (۱۲و۸و۶و۴) نانومتر انجام گرفته است. در این روش فلز نزدیک سورس بالاترین تابع کار و فلز نزدیک درین کمترین تابع کار را دارا می باشد. طول گیت ۳ نانومتر، ضخامت نانوسیم ۱ نانومتر، ضخامت(sio2) 1 نانومتر و ضخامت (Hfo2) 3 نانومتر و ضخامت گیت ۲ نانومتر می باشد [عینا همانند مقاله] دراین تحقیق از شبیه ساز Atlas Silvaco device simulator برای شبیه سازی استفادهد شده است. متغیرهای مورد بررسی در این تحقیق، ولتاژ آستانه DIBL (کاهش سد پتانسیل ناشی از ولتاژدرین)، Ion(جریان روشنی) و Ioff (جریان خاموشی) می باشد. ولتاژ آستانه در ترانزیستور پیوندی با طول فلزات گیت نامساوی بیشترین مقدار بوده است. Ion در ترانزیستور بدون پیوند با طول فلزات گیت مساوی دارای بیشترین مقدار و Ioff در ترازیستور پیوندی باطول فلزات گیت مساوی کمترین مقدار را دارا می باشد. در حالت کلی، ترانزیستور با پیوند با طول فلزات گیت نامساوی در مقایسه با سایر ترانزیستورها دارای کمترین مقدار DIBL می باشد.