بهبود مدار پمپ بار Dickson با استفاده از ترانزیستورهای DTMOS برای کاربردهای ولتاژ پایین در تکنولوژی ۹۰ نانومتر

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بهبود مدار پمپ بار Dickson با استفاده از ترانزیستورهای DTMOS برای کاربردهای ولتاژ پایین در تکنولوژی ۹۰ نانومتر دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بهبود مدار پمپ بار Dickson با استفاده از ترانزیستورهای DTMOS برای کاربردهای ولتاژ پایین در تکنولوژی ۹۰ نانومتر  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بهبود مدار پمپ بار Dickson با استفاده از ترانزیستورهای DTMOS برای کاربردهای ولتاژ پایین در تکنولوژی ۹۰ نانومتر،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بهبود مدار پمپ بار Dickson با استفاده از ترانزیستورهای DTMOS برای کاربردهای ولتاژ پایین در تکنولوژی ۹۰ نانومتر :

تعداد صفحات :۹

چکیده مقاله:

یک مدار پمپ بار جدید برای کاهش ولتاژ آستانه و کاهش جریان نشتی ترانزیستورها، که درنتیجه باعث قابل استفاده شدن مدار در کاربردهای ولتاژ پایین می شود، ارایه شده است. مدار پیشنهادی شامل یک نوسان ساز ولتاژ پایین و یک مدار پمپ بار با بازده بالا می باشد، که طرح جدیدی ازمدار Dickson است. در مدار ارایه شده از ترانزیستورهای DTMOS (Dynamic Threshold MOSFET) برای کاهش ولتاژ آستانه ترانزیستورها و حذف اثر بدنه استفاده شده است. در ترانزیستورهای DTMOS ترمینال بدنه به گیت ترانزیستور وصل شده است. در این نوع ترانزیستور با افزایش ولتاژ گیت، ولتاژ آستانه ترانزیستور افت می کند، که باعث می شود ترانزیستور جریان بیشتری نسبت بهMOSFET معمولی در Vdd کم تحویل دهد. به عبارت دیگر ولتاژ آستانه در Vgs=0 بیشترین مقدار را داشته ودر نتیجه ترانزیستور سریع تر و بهتر خاموش شده و جریان نشتی نیز کاهش می یابد. همچنین Req ترانزیستورها نیز کاهش می یابد. مدار پیشنهادی در نرم افزار Hspice با استفاده از تکنولوژی ۹۰ نانومتر CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. براساس نتایج شبیه سازی Hspice، مدار پیشنهادی با حداقل ولتاژ۱۰۰ میلی ولت کار می کند و ولتاژ خروجی۰/۸۶ولت را در زمان ۲ میلی ثانیه تولید می کند.