دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور شبیه سازی گیت or با استفاده از نانو ترانزیستورها در منطق دومینو Footless
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
شبیه سازی گیت or با استفاده از نانو ترانزیستورها در منطق دومینو Footless دارای ۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد شبیه سازی گیت or با استفاده از نانو ترانزیستورها در منطق دومینو Footless کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی شبیه سازی گیت or با استفاده از نانو ترانزیستورها در منطق دومینو Footless،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن شبیه سازی گیت or با استفاده از نانو ترانزیستورها در منطق دومینو Footless :
تعداد صفحات :۴
چکیده مقاله:
امروزه تمرکز اصلی در صنعت VLSI بر روی کاهش اتلاف توان و افزایش سرعت تراشه می باشد. همزمان با کوچک شدن تکنولوژی، جهت دستیابی به کارایی بالا بایستی منبع ولتاژ از یک سو و ولتاژ آستانه از سوی دیگر کاهش یابد. لذا استفاده از ترانزیستورها در ابعاد نانو میتواندراه حلی برای دستیابی به اهداف فوق باشد. بدین منظور و جهت بررسی تاثیر کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها بر روی گیتهای منطقی، دراین مقاله یک گیت or را که در منطق دومینو Footless طراحی میشود، با استفاده از نانو ترانزیستورها در چهار تکنولوژی ۹۰ ،۶۵ ،۴۵ و ۳۲ نانومتر و ولتاژ تغذیه ۱ ولت، شبیه سازی و با یکدیگر مقایسه کرده ایم. نتایج شبیه سازی گویای بهبود حدود ۶۵ %در پارامتر PDP در هنگام استفاده از ترانزیستورهای با ابعاد کوچکتر میباشد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
