دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مطالعه ویژگیهای ساختاری و اپتیکی نانوکامپوزیتهای لایه نازکPVC-BaTiO3 به عنوان گیت دیالکتریک ترانزیستور اثر میدان آلی
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مطالعه ویژگیهای ساختاری و اپتیکی نانوکامپوزیتهای لایه نازکPVC-BaTiO3 به عنوان گیت دیالکتریک ترانزیستور اثر میدان آلی دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مطالعه ویژگیهای ساختاری و اپتیکی نانوکامپوزیتهای لایه نازکPVC-BaTiO3 به عنوان گیت دیالکتریک ترانزیستور اثر میدان آلی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مطالعه ویژگیهای ساختاری و اپتیکی نانوکامپوزیتهای لایه نازکPVC-BaTiO3 به عنوان گیت دیالکتریک ترانزیستور اثر میدان آلی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مطالعه ویژگیهای ساختاری و اپتیکی نانوکامپوزیتهای لایه نازکPVC-BaTiO3 به عنوان گیت دیالکتریک ترانزیستور اثر میدان آلی :
تعداد صفحات :۸
چکیده مقاله:
در این مطالعه لایههای نازک نانوکامپوزیت باریم تیتانات (BaTiO3) وپلی وینیل کلراید pvc به روش شیمیایی سل ژل سنتز و با روش لایهگذاری دورانی (coating Spin (لایه نشانی شدند. پارامترهای مورد تعیین مشخصهی این تحقیق عبارتند از: تعیین ویژگیهای نانو ساختاری نمونهها با استفاده از تکنیکهای پراش اشعهی ایکس (XRD (و میکروسکوپ الکترونی (SEM ،(بررسی پایداری حرارتی نمونههای تهیه شده با استفاده از طیف گرادیان دمایی (TGA ،(بررسی خواص اپتیکی نمونهها با استفاده از طیف جذب و عبور اپتیکی در محدودهی نور مریی و فرابنفش (Visible-UV ،(و تعیین گاف انرژی نمونه با توجه به طیفهای جذب اپتیکی. نتایج نشان میدهد که جذب اپتیکی در محدودهی نور مریی بسیار پایین بوده و عبور اپتیکی بالای ۸۵ درصد به همراه گاف انرژی eV 9.2 امکان بکارگیری نانوکامپوزیت PVC-BaTiO3 در گیتهای اپتیکی شفاف را ممکن میسازد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
