بررسی تاثیر ولتاژ انباشت بر لایههای نانوساختار سولفید قلع ایجاد شده به روش الکتروانباشت


در حال بارگذاری
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
4 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بررسی تاثیر ولتاژ انباشت بر لایههای نانوساختار سولفید قلع ایجاد شده به روش الکتروانباشت دارای ۱۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بررسی تاثیر ولتاژ انباشت بر لایههای نانوساختار سولفید قلع ایجاد شده به روش الکتروانباشت  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی تاثیر ولتاژ انباشت بر لایههای نانوساختار سولفید قلع ایجاد شده به روش الکتروانباشت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد


بخشی از متن بررسی تاثیر ولتاژ انباشت بر لایههای نانوساختار سولفید قلع ایجاد شده به روش الکتروانباشت :

تعداد صفحات :۱۶

چکیده مقاله:

لایههای نازک نانوساختار سولفید قلع (SnS) از یک محلول آبی شامل ۲SnCl و ۳O2S2Na بر روی یک زیرلایه شیشهای از جنس FTO با روش الکتروانباشت تهیه شدند. در آزمایش، غلظت مواد تشکیلدهنده ثابت، pH و دمای محلول به ترتیب ۱ / ۲ و °c 60 انتخاب شدند. انباشت در ۳۰ دقیقه انجام شد. با ثابت نگه داشتن سایر پارامترها، اثر تغییر پتانسیل انباشت (E) بر روی خواصساختاری و بلوری لایههای نازک SnS مورد بررسی قرار میگیرد.لایههای انباشت شده بوسیله پراش پرتو X (XRD) ، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) ، آنالیز تفکیک انرژیاشعه X (EDS) ، فوتولومینوسانس (PL) و UV-Vis مشخصهیابی شدند. نتایج EDS نشان داد که نسبت Sn/S به پتانسیل انباشت وابسته بوده و در پتانسیل V 1 – E= ، نسبت Sn/S به ۱ نزدیک میگردد.الگوهای XRD نشان دادند که سولفید قلع بوجود آمده بلوری بوده و دارای ساختار اورتورمبیک میباشد. نتایج PL وجود ۳ پیک اصلی را در محدودههای نشر نور آبی با طول موج بین nm467 – 474 ، نشر نور سبز در nm 533 و در طیف IR بین nm 832 – 836 را نشان میدهد. با توجه به آنالیز Vis-UV ، تغییر E باعث می- شود تا gE در محدوه ۲۱ / ۱ تا eV 36 / 1 تغییر کند. با توجه بهمقادیر gE بدست آمده ، لایههای نازک SnS برای استفاده به عنوان لایههای جاذب سلول خورشیدی مناسب خواهند بود.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.