دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور مطالعه نوسانات زیرآستانه در ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی و بهبود آن با تغییر ساختار پایه
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
مطالعه نوسانات زیرآستانه در ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی و بهبود آن با تغییر ساختار پایه دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد مطالعه نوسانات زیرآستانه در ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی و بهبود آن با تغییر ساختار پایه کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مطالعه نوسانات زیرآستانه در ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی و بهبود آن با تغییر ساختار پایه،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن مطالعه نوسانات زیرآستانه در ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی و بهبود آن با تغییر ساختار پایه :
تعداد صفحات :۱۳
چکیده مقاله:
با کاهش ابعاد فیزیکی ماسفت های نانولوله کربنی، جریان نشتی حالت خاموش آنها در ولتاژهایدرین-سورس بزرگ به علت تونلزنی مستقیم سورس-درین به طور قابل توجهی افزایش می یابد. اینمکانیسم باعث افزایش یک بار تودهای در ناحیه کانال شده و مانع میشود که گیت به طور کامل بهحالت خاموش تغییر حالت دهد. بنابراین کوچک کردن این افزاره به دلیل محدودیت های مربوط بهتوان مصرفی با مشکل مواجه می شود. در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنیجدید به منظور کاهش نوسانات زیر آستانه ارایه شده است. در افزارهی پیشنهادی در ناحیه درین ازیک پله با ناخالصی سبک استفاده شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که در ساختار جدیدجریان حالت خاموش و مصرف توان کاهش مییابد و نوسانات زیر آستانه به مقدار قابل توجهیکاهش پیدا می کند. برای شبیه سازی این ساختارحل خودسازگار معادله های پواسون- شرودینگر وروش تابع گرین غیرتعادلی به کار رفته و از نرمافزار MATLAB استفاده شده است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
