بهبود عملکرد اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بهبود عملکرد اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بهبود عملکرد اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بهبود عملکرد اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بهبود عملکرد اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ :

تعداد صفحات :۹

چکیده مقاله:

در این مقاله برای طراحی و شبیه سازی نوسانساز موردنظر از روش مقاومت منفی موازی با سلف و خازن به عنوان تانکسلفی-خازنی برای ایجاد فیدبک مثبت و ایجاد نوسان مطلوب استفاده شده است. برای ساخت مقاومت منفی از عناصر اکتیوکه ترانزیستورها می باشند، به دلیل حجم اشغالی کمتر و قابلیت پیاده سازی بر روی آی سی های توان پایین استفاده شده است.مقاومت منفی لازم به روش اتصال جفت ترانزیستورهای ضربدری طراحی و شبیه سازی شده است. بانک خازنی متشکل ازخازن های ترانزیستوری (خازن گیت-سورس) می باشد، قابلیت کنترل با کلمات کنترلی FCW برای پوشش تمامی پهنای باندفرکانسی مورد نظر در طراحی سنتزکننده ی تمام دیجیتال را دارا می باشد. اسیلاتور طراحی شده در سایز ۰.۱۸۰um درتکنولوژی CMOS در نرم افزار ADS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج حاصله و مقایسه ها در جدولی خلاصه شده استبه طوری که مقدار عددی معیار شایستگی برای این مدار طراحی شده. ۱۹۸dBc/Hz می باشد که نشان دهندهی کیفیت اینطراحی می باشد. نویز فاز بدست آمده از شبیه سازی مدار طراحی شده برای اسیلاتور نوسان کننده با ولتاژ در این مقالهبرابر ۱۴۵dBc/Hz می باشد که مقدار بسیار خوبی از لحاظ خلوص طیفی فرکانسی را بیان می دارد. فرکانس مرکزی در نظرگرفته شده برای این محاسبات مقدار ۲/۴ گیگاهرتز می باشد و آفست فرکانسی مدنظر در محاسبات و فرمول های معیار شایستگی ۱مگاهرتز بوده است. توان مصرفی زیر ۳/۳ میلی وات می باشد.