مقاله ترجمه شده مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری ۶۵CMOS نانومتری

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 مقاله ترجمه شده مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری ۶۵CMOS نانومتری دارای ۱۷ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله ترجمه شده مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری ۶۵CMOS نانومتری  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ترجمه شده مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری ۶۵CMOS نانومتری،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله ترجمه شده مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری ۶۵CMOS نانومتری :

توضیحات:

مقاله ترجمه شده رشته مهندسی برق با عنوان مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری CMOS شصت و پنج نانومتری، در قالب فایل word و در حجم ۱۳ صفحه، همراه با مقاله انگلیسی زبان اصلی.

عنوان مقاله زبان اصلی:

New Subthreshold Concepts in 65nm CMOS Technology

ترجمه چکیده:

در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل ۲۳% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.

مقاله ترجمه شده مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری ۶۵CMOS نانومتری
فهرست مطالب:

چکیده

مقدمه

مشخصه های زیرآستانه ای در فناوری ۶۵ نانومتر

تحلیل DC

تاثیر Stacking در فناوری ۶۵ نانومتر

فلیپ فلاپ در ناحیه زیرآستانه ای

فلیپ فلاپ لچ هیبریدی

فلیپ فلاپ تقویت کننده حسگری

نتیجه گیری