دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی :
تعداد صفحات :۵
چکیده مقاله:
ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی یکی از گزاره های آینده صنعت نانوالکترونیک می باشند. به علت محدودیت های ماسفت سیلیکونی، این ترانزیستورها می توانند جایگزین احتمالی ماسفت در دراز مدت باشند. در این مقاله ابتدا به معرفی نانولوله های کربنی می پردازیم. سپس به بررسی اثر پارامترهایی مانند طول کانال، قطر و کایرالیتی به روی جریان در این ترانزیستور پرداخته و منحنی I-V را به ازای طول کانال و قطرهای مختلف و همچنین به ازای ولتاژ گیت اعمالی متفاوت رسم می کنیم. در انتها مقایسه ای بین عملکرد ماسفت سیلیکونی و ترانزیستور نانولوله کربنی صورت پذیرفته است. با بهینه سازی ساختار ادوات و افزایش کیفیت نانولوله های کربنی عملکرد بهتر ترانزیستور نانولوله کربنی را انتظار داریم.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
