دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور ارائه یک ساختار جدید به منظور بهبود اثرخودگرمایی ترانزیستور اثرمیدانی (FIN FET)
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
ارائه یک ساختار جدید به منظور بهبود اثرخودگرمایی ترانزیستور اثرمیدانی (FIN FET) دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد ارائه یک ساختار جدید به منظور بهبود اثرخودگرمایی ترانزیستور اثرمیدانی (FIN FET) کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی ارائه یک ساختار جدید به منظور بهبود اثرخودگرمایی ترانزیستور اثرمیدانی (FIN FET)،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن ارائه یک ساختار جدید به منظور بهبود اثرخودگرمایی ترانزیستور اثرمیدانی (FIN FET) :
تعداد صفحات :۵
چکیده مقاله:
در این مقاله با توجه به تحقیقات صورت پذیرفته در این حیطه توسط دانشمندان مختلف طی سال های اخیر و مطالعه بر روی زیرساخت های موجود یک ساختار جدید برای ترانزیستورهای اثرمیدان Fin FET به منظور کاهش آثار خودگرمایی ارائه شده است. شایان ذکر است ایده اصلی این ساختار در مدور کردن لبه های فین در نزدیکی نواحی سورس و درین در این ترانزیستورها به منظور کنترل اثر خودگرمایی با کاهش مقاومت حرارتی فین ها می باشد. لذا این ساختار جدید، ترانزیستور با لبه های مدور (CV-Fin FET) نامیده شده است. نتیجه شبیه سازی انجام شده نشان می دهد که در ساختار پیشنهاد شده می توان ماکزیمم دمای ترانزیستور را به نحو مطلوبی بهبود بخشید.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
