بهره بردن ازنیمه هادی GaN درطراحی ترانزیستورهای HEMT


در حال بارگذاری
بهره بردن ازنیمه هادی GaN درطراحی ترانزیستورهای HEMT
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
2 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بهره بردن ازنیمه هادی GaN درطراحی ترانزیستورهای HEMT دارای ۱۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بهره بردن ازنیمه هادی GaN درطراحی ترانزیستورهای HEMT  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بهره بردن ازنیمه هادی GaN درطراحی ترانزیستورهای HEMT،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بهره بردن ازنیمه هادی GaN درطراحی ترانزیستورهای HEMT :

تعداد صفحات :۱۰

چکیده مقاله:

تکنولوژی نیمه هادی نقش مهمی درزندگی روزمره ایفا می کند قطعات مبتنی برنیمه هادی های گروه ۳ به ویژه نیمه هادی GAN به دلیل خواص ذاتی ماده نوید قطعاتی با قدرت بالا فرکانس بالا و توان مصرفی پایین را میدهد یکی ازانواع ترانزیستورهای اثرمیدانی ترانزیستورهای باتحرک الکترون بالا High electron mobility transistor (HEMT) می باشد هدف ازساخت HEMT ها استفاده ازآنها درکاربردهای فرکانس و بهره بالا ازقبیل تلفن های همراه تجهیزات رادار گیرنده های تلویزیون های ماهواره ای و مایکروویو می باشد دراین مقاله شبیه سازی ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT بااستفاده ازنرم افزار Silvaco اورده شده است

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.