دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور بررسی سد پتانسیل تدریجی بر عملکرد ترانزیستور GaN HEMT
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
بررسی سد پتانسیل تدریجی بر عملکرد ترانزیستور GaN HEMT دارای ۲۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد بررسی سد پتانسیل تدریجی بر عملکرد ترانزیستور GaN HEMT کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی سد پتانسیل تدریجی بر عملکرد ترانزیستور GaN HEMT،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن بررسی سد پتانسیل تدریجی بر عملکرد ترانزیستور GaN HEMT :
تعداد صفحات :۲۵
چکیده مقاله:
با پیشرفت فناوری های نوین، استفاده از قطعات نیمه هادی با فرکانس کاری وسرعت بالا ودر عین حال نویز وتوان مصرفی پایین دراندازه های کوچکتر افزایش یافته است .قطعات نیمه هادی برپایه GaN HEMT از این نوع می باشد .در این مقاله عملکرد نمونه ای از این ترانزیستورها را با تغییر تدریجی دوپینگ سد پتانسیل از نظر مشخصه های خروجی قطعه بررسی میگردد .تغییر دوپینگ به صورت افزایشی وکاهشی بوده که با حالت دوپینگ یکنواخت مقایسه میگردد .شبیه سازی قطعه با نرم افزار Silvaco می باشد.با توجه به نتایج بدست آمده از خروجی قطعه در سه حالت افزایشی،کاهشیویکنواخت مشخصه های قطعه در حالت کاهشی بهبود یافته است.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
