بررسی مورفولوژی نانوترکیب ۳O2Al/Sn/La بعنوان جایگزین ۲SiO در ترانزیستور، از طریق تصویر برداری SEM و طیف سنجی EDX


در حال بارگذاری
بررسی مورفولوژی نانوترکیب ۳O2Al/Sn/La بعنوان جایگزین ۲SiO در ترانزیستور، از طریق تصویر برداری SEM و طیف سنجی EDX
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
2 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 بررسی مورفولوژی نانوترکیب ۳O2Al/Sn/La بعنوان جایگزین ۲SiO در ترانزیستور، از طریق تصویر برداری SEM و طیف سنجی EDX دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد بررسی مورفولوژی نانوترکیب ۳O2Al/Sn/La بعنوان جایگزین ۲SiO در ترانزیستور، از طریق تصویر برداری SEM و طیف سنجی EDX  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی بررسی مورفولوژی نانوترکیب ۳O2Al/Sn/La بعنوان جایگزین ۲SiO در ترانزیستور، از طریق تصویر برداری SEM و طیف سنجی EDX،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن بررسی مورفولوژی نانوترکیب ۳O2Al/Sn/La بعنوان جایگزین ۲SiO در ترانزیستور، از طریق تصویر برداری SEM و طیف سنجی EDX :

تعداد صفحات :۸

چکیده مقاله:

با کوچک شدن ابعاد قطعات الکترونیکی به منظور افزایش بهره وری و کاهش اتلاف انرژی ، به کار بردن ۲SiO به عنوان بستر نیمه رسانا دچار چالش هایی می شود ؛برای رفع این چالشها نانو کامپوزیت ۳O2Al/Sn/La به عنوان جایگزینی مناسب برای ۲SiO در گیتترایزیستورها تولید و بررسی شده است.در این مقاله ، مزایای استفاده از این نانو ترکیب را از دودیدگاه مختلف بررسی می کنیم.ابتدا تصاویرSEM ( Scanning Electron Microscopy ( و سپس طیف سنجی EDX .( Energy Dispersive X-ray ( را تحلیل می کنیم.بدین منظور تصویر برداری ها در دماهای متفاوتی انجام شده است تا تاثیر تغییرات دما بر نانوترکیب بصورت دقیق تری آشکار شود

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.