دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور طراحی گیت سه پارچه برای ترانزیستور اثر میدانی آلی به منظور بهبود مشخصه جریان- ولتاژ
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
طراحی گیت سه پارچه برای ترانزیستور اثر میدانی آلی به منظور بهبود مشخصه جریان- ولتاژ دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد طراحی گیت سه پارچه برای ترانزیستور اثر میدانی آلی به منظور بهبود مشخصه جریان- ولتاژ کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی گیت سه پارچه برای ترانزیستور اثر میدانی آلی به منظور بهبود مشخصه جریان- ولتاژ،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن طراحی گیت سه پارچه برای ترانزیستور اثر میدانی آلی به منظور بهبود مشخصه جریان- ولتاژ :
تعداد صفحات :۵
چکیده مقاله:
در این مقاله طراحی جدیدی برای ترانیستورهای ارگانیکی ارائهگردیده و مشخصه جریان- ولتاژ آن مورد مطالعه قرار گرفته است. در این طراحی گیت ترانزیستور به سه قسمت تبدیل گردیده است. برایاین منظور ضخامت لایه اکسید از حالت یکنواخت خارج گردیده و درقسمت زیر گیت نازک تر شده است. به این ترتیب فاصله قسمتوسط گیت تا کانال ماسفت ارگانیک کاهش یافته و در نتیجه بارهایدرون کانال بیشتر تحت کنترل گیت می باشند. علاوه بر این میتوان به کانال یک ولتاژ تقریبا ثابت نسبت داد و این از ویژگی هاییک ماسفت خوش رفتار می باشد. ساختار پیشنهادی دارای یکگیت سه پارچه است. محاسبه جریان نشان می دهد که استفاده ازیک ساختار گیت سه پارچه افزایش جریان حالت روشن، کاهش ولتاژآستانه و کاهش سویینگ زیر آستانه را به دنبال دارد. همچنین پیشبینی می شود خازن های پارازیتیک نسبت به حالتی که کل اکسیدبه صورت یکنواخت نازک شود، کاهش یافته و فرکانس قطع بالاتریمی دهد.
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
