دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور استخراج رابطه تحلیلی جریان – ولتاژ در ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولولههای کربنی ( CNTFET ) در ناحیه زیر آستانه
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
استخراج رابطه تحلیلی جریان – ولتاژ در ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولولههای کربنی ( CNTFET ) در ناحیه زیر آستانه دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد استخراج رابطه تحلیلی جریان – ولتاژ در ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولولههای کربنی ( CNTFET ) در ناحیه زیر آستانه کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی استخراج رابطه تحلیلی جریان – ولتاژ در ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولولههای کربنی ( CNTFET ) در ناحیه زیر آستانه،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن استخراج رابطه تحلیلی جریان – ولتاژ در ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولولههای کربنی ( CNTFET ) در ناحیه زیر آستانه :
تعداد صفحات :۵
چکیده مقاله:
در این مقاله، ما مدل سازی ترانزیستورهای اثر میدانی با نانولولههای کربنی به عنوان کانال جریان الکتریکی را به صورت تحلیلی انجام داده ایم . برای این منظور، با استفاده ار رابطه بازگشتی که در محاسبات عددی مدل سازی رابطه جریان ولتاژ این ترانزیستورها مورد استفاده قرار می گیرد، وابستگی تابع چگالی حالت ها به سطح انرژی فرمی تقریب زده شده است . ماهیت این تقریب برای ناحیه زیر آستانه درجه دو و برای ناحیه یعد از آستانه نمایی می باشد . در ادامه، با مقایسه نتایج تحلیلی با اندازه گیری های تجربی نشان داده ایم که چنین تقریبی در ناحیه زیر آستامه معتبر است ، اما در ناحیه بعد از آستانه به صورت تحلیلی به پاسخ همگرا نمی رسد . در پایان ، روشی برای مدل سازی ناحیه بعد از آستانه پیشنهاد شده است .
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
