مطالعه نظری تابع دی الکتریک و گذارهای اپتیکی در نانو لوله کربنی زیگزاگ (۱۰.۰)

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 مطالعه نظری تابع دی الکتریک و گذارهای اپتیکی در نانو لوله کربنی زیگزاگ (۱۰.۰) دارای ۵ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مطالعه نظری تابع دی الکتریک و گذارهای اپتیکی در نانو لوله کربنی زیگزاگ (۱۰.۰)  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مطالعه نظری تابع دی الکتریک و گذارهای اپتیکی در نانو لوله کربنی زیگزاگ (۱۰.۰)،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مطالعه نظری تابع دی الکتریک و گذارهای اپتیکی در نانو لوله کربنی زیگزاگ (۱۰.۰) :

تعداد صفحات :۵

چکیده مقاله:

در این مقاله ساختار الکترونی تابع دی الکتریک و گذارهای اپتیکی نانولوله کربنی زیگزاگ (۰.۱۰) به کمک نظریه تابعی چگالی و با استفاده از اصول اولیه مطالعه شده است. ساختار نواری محاسبه شده این نانولوله نشان می دهد که نانولوله کربنی (۱۰.۰) نیمرسانا و دارای گاف انرژی مستقیم د ر حدود ۰/۷۱eV در نقطه r است. توابع اپتیکی نانولوله کربنی (۱۰.۰) برای هر دو راستای میدان اعمالی موازی و عمودی با محور نانولوله محاسبه شده است. تابع دی الکتریک ناهمسانگرد و در راستای میدان اعمالی موازی دارای مقدار بیشتری نسبت به میدان اعمالی عمودی است. مقدار ثابت دی الکتریک در حالت قطبش موازی ۱۶/۲ و در قطبش عمودی ۵/۵۵ بدست آمده است. اولین ، دومین ، سومین و چهارمین گذارهای اپتیکی نانولوله کربنی (۱۰.۰) به ترتیب در انرژیهای ۰/۷۲ و ۲/۱و ۲/۴ و ۳eV رخ می دهد. مقدار گاف اپتیکی محاسبه شده در راستای میدان اعمالی عمودی حدود ۱/۲eV بدست امد. که بیشتر از گاف اپتیکی محاسبه شده در راستای قطبش موازی ۰/۷۲eV است.