ارائه یک تقویت کننده کم نویز (LNA ) با ولتاژ و توان مصرفی بسیار پائین در ناحیه زیر آستانه با ساختار کسکود تاشده در فرکانس ۱.۵GHz

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 ارائه یک تقویت کننده کم نویز (LNA ) با ولتاژ و توان مصرفی بسیار پائین در ناحیه زیر آستانه با ساختار کسکود تاشده در فرکانس ۱.۵GHz دارای ۹ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد ارائه یک تقویت کننده کم نویز (LNA ) با ولتاژ و توان مصرفی بسیار پائین در ناحیه زیر آستانه با ساختار کسکود تاشده در فرکانس ۱.۵GHz  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی ارائه یک تقویت کننده کم نویز (LNA ) با ولتاژ و توان مصرفی بسیار پائین در ناحیه زیر آستانه با ساختار کسکود تاشده در فرکانس ۱.۵GHz،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن ارائه یک تقویت کننده کم نویز (LNA ) با ولتاژ و توان مصرفی بسیار پائین در ناحیه زیر آستانه با ساختار کسکود تاشده در فرکانس ۱.۵GHz :

تعداد صفحات :۹

چکیده مقاله:

در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز با ولتاژ تغذیه ۰.۴۷ و توان مصرفی بسیار پائین در فرکانس ۱.۵GHz با استفاده از ساختار کسکود تاشده در تکنولوژی TSMC 0.18µm CMOS، ارائه می دهیم که در آن ترانزیستورها در ناحیه زیر آستانه بایاس شده اند. با استفاده از مدار پیشنهادی برای افزایش بهره در این ساختار و استفاده از تکنیک بایاس بدنه، توانسته ایم به ضریب شایستگی بسیار بالایی نسبت به ساختارهای مشابه دست یابیم. LNA ارائه شده در این مقاله دارای بهره بیش از ۱۴.۵dB می باشد در حالی که توان مصرفی و عدد نویر در آن به ترتیب برابر با ۷۹۰µW و ۲.۹dB است، همچنین مدار در فرکانس کاری دارای تطبیق امپدانس ورودی و خروجی مطلوبی است و در کل پهنای باند ایزولاسیون خروجی و ورودی آن کمتر از ۳۳dB – می باشد.