استفاده از Floating Gate MOSFET بعنوان سنسور تشخیص گازها

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 استفاده از Floating Gate MOSFET بعنوان سنسور تشخیص گازها دارای ۸ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد استفاده از Floating Gate MOSFET بعنوان سنسور تشخیص گازها  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی استفاده از Floating Gate MOSFET بعنوان سنسور تشخیص گازها،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن استفاده از Floating Gate MOSFET بعنوان سنسور تشخیص گازها :

تعداد صفحات :۸

چکیده مقاله:

در این مقاله از FG-MOSFET که در مجاورت گیت آن واکنش شیمیایی بین گاز و اکسید فلز رخ می دهد بعنوان سنسور گاز استفاده می شود. هرچه غلظت مولکولهای گاز در مجاورت گیت ترانزیستور ماسفت بیشتر باشند، الکترونهای بیشتری در سطح گیتجذب شده و جریان تحریک بیشتر می شود. جهت ساخت این سنسور الکترونیکی که در رده سنسورهای نیمه هادی الکتروشیمی قرار می گیرد، از تکنولوژی CMOS استفاده شده و مدارات بایاس، کنترلی و پردازش سیگنال روی همان پایه نیمه هادی )سلیسیم(که ماسفت حساس به گاز قرار دارد ساخته شده است. چون واکنش شیمیایی گاز مورد سنجش با اکسیدفلز در گیت ماسفت نیاز بهحرارت بالاتر از ۲۲۲ دارد، از یک میکروهیتر که با ولتاژ بایاس CMOS حرارات بالا و کنترل شده ایجاد کند استفاده شده است. این میکروهیتر و عایق حرارتی جهت تضمین دمای اتاق برای کارکردسایر مدارات توسط تکنولوژی MEMS ساخته شده است. این سنسور با استفاده از تکنولوژی MEMS همراه با تکنولوژی استاندارد CMOS رده و کلاسی جدید و مدرن از سنسورهای گازیالکترونیک است. جهت تحلیل رفتار ، بایاس و کالیبره این ماسفت گیت شناور، ابتدا یک سنسور مقاومتی نیمه هادی با استفاده از لایه ۳O2Fe سری با گیت یک ماسفت معمولی معادل با -FGMOSFET در مجاورت غلظت های مختلف : صفر، ۲۵۰ و ۵۰۰ppm گاز پروپان در حضور رطوبت ۰۲ درصد استفاده شده و تغییر ولتاژ در لایه حساس بترتیب برابر با -۲.۸۲v و -۴.۳۳v و -۱۰.۵۳v بوده است.در پایان این تحلیل برای FG-MOSFET تعمیم شده است.