مقاله تکنولوژی (ساخت) Super Flash EEPROM

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 مقاله تکنولوژی (ساخت) Super Flash EEPROM دارای ۱۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله تکنولوژی (ساخت) Super Flash EEPROM  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله تکنولوژی (ساخت) Super Flash EEPROM،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله تکنولوژی (ساخت) Super Flash EEPROM :

این مقاله تکنولوژی ذخیره سازی سیلیکونی را توضیح می دهد. در این محصول سلول حافظه گیت و بازیابی تونل به روش میدانی تشریح شده است. تکنولوژی Super flash و سلول حافظه از نظر طراحی دارای مزایای مهمی هستند و سازنده EEPROM های Flash در زمان استفاده از ابزارهای منطقی در مقایسه با گیت Stack (پشته) اکسید یا تکنیک ۲ ترانزیستوری از قابلیت عملکرد و آزادی عمل بیشتری برخوردار است. علاوه بر آن این تکنولوژی دارای مزیتهای قیمت کمتر و قابلیت اطمینان بیشتر است. این تکنولوژی با استفاده از لایه های کمتر از پردازش ساده تری برخوردار است که در مقایسه با انواع دیگر قابل مقایسه است. عمدتاً کاهش مراحل و هزینه های لایه گذاری، سبب کاهش قیمت نهایی محصول می شود. حافظه گیت مجزا SST از نظر اندازه و حجم اشغال شده در مقایسه با انواع ترانزیستوری آن بسیار قابل توجه است، علاوه بر اینکه سهولت استفاده و قابلیت اطمینان بالا نیز در آن بیشتر است. براساس طراحی، سلول حافظه مجزای SST ، برای هر سلول حافظه مربوط به ردیف بیت از overerase استفاده می کند. اختلال در پاک کردن برای همه بایتهای مربوط به یک صفحه یا صفحات دیگر ممکن است ایجاد شود، این بدلیل انجام فرآیند در ولتاژ بالا است.
۱- تزریق کننده (انژکتور) ایجاد تونل بازیابی میدانی:
– سلول EEPROM :
این تزریق کننده یک ترانزیستور سلول حافظه مجزا است که برای ایجاد تونل Fowler-Nordheim بمنظور پاک کردن و یا تزریق الکترون در کانال سورس در برنامه ریزی حافظه استفاده می شود. ایجاد تونل چند قطبی با استفاده از انژکتور (ترزیق کننده) میدانی در یک گیت شناور (معلق) با استفاده از اکسیداسیون استاندارد یا تکنیکهای etching صورت می گیرد. انژکتور کانال سفت Source (سورس) که تزریق کننده الکترون است بسیار کارآمد و مؤثر است و با استفاده از یک چیپ (تراشه) بسیار کوچک با تغذیه ۵ یا ۳ ولت این عملیات را انجام می دهد. سلولها معمولاً قبل از برنامه ریزی، پاک می شوند. اندازه و ابعاد سلول حافظه گیت مجزا با سلولهای حافظه متداول که از تکنولوژی پردازش یکسان استفاده می کنند، قابل مقایسه و قابل ملاحظه است. این امر ممکن است بدلیل موارد زیر ایجاد شده باشد. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل نیازی به فضای زیاد بمنظور عایق کاری در جریانها و ولتاژهای بالا ندارد. علاوه بر آن ساختار ساده آن سبب می شود که بسیاری از توابع منطقی در عملیات پاک کردن آن حذف شوند. سلول انژکتور ایجاد کننده تونل از فرآیند (تکنولوژی) CMOS استاندارد استفاده می کند. آرایه های حافظه می توانند در حالت دسترسی تصادفی یا دسترسی متوالی و پی در پی طراحی شده باشند.
۲- ساختار سلولی:
برشهای مقطعی سلولی با نماهای متفاوت در تصاویر ۱A و ۱B نشان داده شده اند. از دیدگاه سطح مقطع یک مسیر بیت و یک سطح مقطع SEM در تصاویر ۲A و ۲B نشان داده شده اند. از ترکیب سیلیکون ۲ ظرفیتی برای ارتباط گیتها در امتداد یک مسیر word استفاده شده است. فلز بکار رفته در درین (drain) برای هر سلول حافظه در امتداد ردیف بیت قرار دارد.