دانش رسان |
مرکز علم و دانش کشور یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET
در حال بارگذاری
توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد
یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET دارای ۲۴ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET :
تعداد صفحات :۲۴
چکیده مقاله:
در این مقاله ، یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه جدید بهره بالا و توان پایین مبتنی بر ترانزیستور FomFET با گیت های مستقل پیشنهاد شده و طراحی و شبیه سازی آن با نرم افزار HSPICE و تکنولوژی ۳۲ نانومتر FinFET به انجام رسیده است. مشخصات اصلی تقویت کننده پیشنهادی از قبیل بهره ولتاژ DC، توان مصرفی، فرکانس بهره واحد (UGF)، نسبت حذف حالت مشترک (CMRR)، نسبت حذف اثر تغذیه (PSRR) و زمان نشست (settling-time) محاسبه شدند و با یک تقویت کننده دو طبقه مرسوم CMOS مورد مقایسه قرار گرفتند. مشاهده شد که تقویت کننده عملیاتی پیشنهادی مبتنی بر FinFET در ولتاژ تغذیه کمتر عملکرد بالایی در مقایسه با تقویت کننده دو طبقه مرسوم مبتنی بر MOSFET دارد. در طرح پیشنهادی با ولتاژ تغذیه ۱ ولت و توان مصرفی ۵۸ میکرو وات ، بهره ۵۲ دسی بل و فرکانس بهره واحد ۴/۶ مگا هرتز با حد فاز ۷۱ درجه بدست آمد. با مقایسه طرح پیشنهادی با تقویت کننده دو طبقه CMOS مرسوم از لحاظ ضریب شایستگی مشاهده کردیم که ضریب شایستگی طرح پیشنهادی به اندازه ۱/۲ برابر بهبود یافته است.به انجام رسید
- در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.
