طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز در فناوری CMOS برای رسیدنبه بهره dB 48 با استفاده از اتصال ضربدری و ساختار کسکود

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز در فناوری CMOS برای رسیدنبه بهره dB 48 با استفاده از اتصال ضربدری و ساختار کسکود دارای ۱۶ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز در فناوری CMOS برای رسیدنبه بهره dB 48 با استفاده از اتصال ضربدری و ساختار کسکود  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز در فناوری CMOS برای رسیدنبه بهره dB 48 با استفاده از اتصال ضربدری و ساختار کسکود،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز در فناوری CMOS برای رسیدنبه بهره dB 48 با استفاده از اتصال ضربدری و ساختار کسکود :

تعداد صفحات :۱۶

چکیده مقاله:

ساختار تقویت تقویت کنندهی کم نویز نوع خاصی از تقویت کنندههای الکترونیکی است که در سیستمهای مخابراتی برای تقویت سیگنالهای گرفته شده از آنتن به کار میرود و اغلب در فاصله ی کمی از آنتن قرار میگیرد تا افت سیگنال در خطوط به حداقل ممکن برسد. تقویتکنندهی کم نویز به عنوان اولین طبقه در مسیر گیرنده بیشترین سهم را در نویز گیرنده دارد و طراحی آن با توان مصرفی کم و بهرهی بالا میتواند راه گشای یک سیستم بسیار ارزان باشد که تمام اجزای آن روی یک تراشه قراربگیرد. در این مقاله برای طراحی مدار تقویتکنندهی کم نویز از فناوری CMOS m 0/13 استفاده شده است. تقویت کنندهی کم نویز ارائه شده در این مقاله از ساختار خازن ضربدری به منظور رسیدن بهتوان مصرفی پایین استفاده میگردد. همچنین از یک طبقه کسکود و مدار گیت مشترک ساختار دیگری میباشد که بعد از ساختار خازن ضربدری استفاده شده است. با استفاده از ساختار کسکود میتوانیم به یک تطبیق مناسب در ورودی برسیم. دست یافتن به بهره بالا از دیگر ویژگیهای این مدار میباشد