تاثیر مقاومت بدنه بر بهبود ولتاژ شکست ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده با طول کانال ۴۵ نانومتر

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 تاثیر مقاومت بدنه بر بهبود ولتاژ شکست ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده با طول کانال ۴۵ نانومتر دارای ۱۰ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد تاثیر مقاومت بدنه بر بهبود ولتاژ شکست ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده با طول کانال ۴۵ نانومتر  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی تاثیر مقاومت بدنه بر بهبود ولتاژ شکست ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده با طول کانال ۴۵ نانومتر،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن تاثیر مقاومت بدنه بر بهبود ولتاژ شکست ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده با طول کانال ۴۵ نانومتر :

تعداد صفحات :۱۰

چکیده مقاله:

دراین مقاله به بررسی تاثیر مقاومت بدنه بر فرآیند شکست ترانزیستور های ماسفت سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده می پردازیم تاثیر میزان مقاومت بدنه بر جریان حفره های ناشی از پدیده ی یونیزاسیون برخوردی و عملکرد ترانزیستور دو قطبی پارازیتی به عنوان عامل شکست نشان داده می شود در این راستا با مدل کردن مقاومت بدنه و تغییر آن و انجام شبیه سازی تاثیر تغییرات مقاومت بدنه را بر جریان حفره های تولیدی ناشی از پدیده یونیزاسیون برخوردی و مولفه های جریانی ترانزسیتور دو قطبی پارازیتی بررسی می کنیم نشان می دهیم که با کاهش مقاومت بدنه می توان فیدبک مثبتی که توسط این ترانزیستور دو قطبی پارازیتی به وجود می آید را تضعیف کرد و مکانیسم شکست را تعدیل کرد و ولتاژ شکست را بهبود بخشید نتایج شبیه سازی نشان دهنه ی بهبود ۱۰ درصدی ولتاژ شکست ترانزیستور با مقامت بدنه ۵۰k نسبت به همان ترانزیستور با مقاومت بدنه ۱۰۰k می باشد