طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند در تکنولوژی ۰.۱۸?m CMOS


در حال بارگذاری
طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند در تکنولوژی ۰.۱۸?m CMOS
23 اکتبر 2022
فایل ورد و پاورپوینت
2120
1 بازدید
۷۹,۷۰۰ تومان
خرید

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند در تکنولوژی ۰.۱۸?m CMOS دارای ۱۳ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند در تکنولوژی ۰.۱۸?m CMOS  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند در تکنولوژی ۰.۱۸?m CMOS،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند در تکنولوژی ۰.۱۸?m CMOS :

تعداد صفحات :۱۳

چکیده مقاله:

این مقاله ساختار جدیدی از یک تقویت کننده کم نویز فوق باند توان مصرفی کم و بهره بالا در باند فرکانسی ۱۰.۶-۳.۱ GHZ که با تکنولوژی TSMC0.18m شبیه سازی شده است را شرح می دهد. با به کارگیری سلف در گیت ترانزیستور پهنای باند گسترش می یابد و تکنیک حذف نویز برای افزایش بهره مدار به کار می رود. نتایج شبیه سازی این مدار ماکزیمم بهره ۱۱.۸dB، تطبیق امپدانس ورودی کمتر از ۱۰dB-، مینیمم عدد نویز ۳.۵dB را نشان می دهد. تقویت کننده کم نویز پیشنهادی ۲۲mw توان به ازای منبع تغذیه ۱.۸v مصرف می کند.

  راهنمای خرید:
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.