طراحی مدارات منطقی بسیار کم مصرف با بهره گیری از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی

توجه : به همراه فایل word این محصول فایل پاورپوینت (PowerPoint) و اسلاید های آن به صورت هدیه ارائه خواهد شد

 طراحی مدارات منطقی بسیار کم مصرف با بهره گیری از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی دارای ۱۲ صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد طراحی مدارات منطقی بسیار کم مصرف با بهره گیری از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی طراحی مدارات منطقی بسیار کم مصرف با بهره گیری از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن طراحی مدارات منطقی بسیار کم مصرف با بهره گیری از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی :

تعداد صفحات :۱۲

چکیده مقاله:

طراحی و پیاده سازی ادوات الکترونیکی با بهره گیری از فناوری نانوموضوعی است که در سال های اخیر به طور چشمگیری مورد توجه طراحان و سازنده های قطعات الکترونیکی و وسایل دیجیتال قرار گرفته است، و با توجه به کوچک شدن ابعاد و دیگر ویژگی های این فناوری، ترانزیستورهای اثر میدانی با بهره گیری از فناوری نانو مناسب ترین جایگزین برای تکنولوژی CMOS می باشند. در این مقاله مدارهای کاربردی در وسایل دیجیتال از جمله NAND، OR، AND و NOR دو ورودی را بر پایه ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی (CNTFET) در ولتاژها و دماهای مختلف طراحی و پیاده سازی می نماییم. شبیه سازی این مدارات توسط نرم افزار شبیه ساز HSPICE و تکنولوژی CNT 32nm صورت می گیرد. نتایج بدست آمده از شبیه سازی حاکی از آن است که مدارات پیشنهادی از نظر پارامترهای توان مصرفی، سرعت و PDP ( حاصلضرب توان و سرعت ) عملکرد بسیار خوبی دارند و به همین دلیل مورد توجه بسیاری از سازندگان قطعات الکترونیکی قرار می گیرند.